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 DRAM大廠美光上月配合台灣檢調單位，針對前華亞科及前瑞晶關鍵製程和研發人員跳槽至對岸或協助大陸廠進行ＤＲＡＭ研發，估計有上百人遭到約談及搜索，在業界掀起極大震撼。（路透資料照片） 【泰國世界日報系台北報導】記憶體大廠美商美光科技（Micron）出重手反擊陸廠挖角行動，上月配合台灣檢調單位，針對稍早前併購的華亞科及瑞晶科技關鍵製程和研發人員跳槽至對岸，或協助大陸廠進行DRAM研發，展開大規模搜索，並限制相關人員出境，估計有上百人遭到約談及搜索，在業界掀起極大震撼。 美光在去年底曾寄存證信函給大批從美光陣營跳槽至陸廠，或協助大陸進行研發的聯盟廠商，此次又正式透過檢調單位協助，訴諸法律行動，頻有動作意在防止相關營業和技術機密遭竊取。 美光4日證實確已向檢調單位提出重要資訊遭盜用，並配合檢調單位進行調查，但因進入司法調查程序，對到底有多少人遭到調查，目前暫無法對外提供。 但紫光集團澄清，目前挖角前華亞科的員工多數是屬於建廠相關事務人員，紫光集團決定朝自主研發DRAM、儲存型快閃記憶體（NAND Flash）等，目前重心先投入3D NAND Flash研發。 消息人士透露，這波遭到美光反制，透過司法途徑對從美光併購後的華亞科和瑞晶員工展開搜索行動，應是已掌握相關人員竊取營業和技術資料跳槽至大陸公司或協助大陸DRAM研發。 遭到搜索的相關人員主要集中在之前的華亞科員工。據了解，在美光提出併購華亞科全數股權後，前後已有近200位員工跳槽至大陸合肥長鑫、紫光集團和福建晉華等公司，主要原因係大陸相關發展DRAM公司祭出比台灣二至三倍高薪，全力挖角。 稍早包括三星、SK海力士（SK Hynix）也同樣寄出存證信函給跳遭至陸廠的員工，不過因主要成員多數來自台廠，且後續挖角行動不斷，讓美光感到事態嚴重，決定透過司法途徑正式提告，希望藉此防止技術和營業祕密遭陸廠剽竊。 美光展開司法反制行動，確已收到強大恫嚇和阻撓陸廠開發DRAM腳步。據了解，跳槽至福建晉華負責研發利基型DRAM的多位重要成員，也是這次遭到調查和限制出境的對象；由福建晉華出資設在聯電南科廠的試產線已暫時停止，正由檢查人員進行調查。 對岸半導體獵人 鎖定台積 【泰國世界日報系台北報導】中國大陸全力發展半導體產業，朝建立自主記憶體和邏輯晶片目標前進，在全球主要三大DRAM廠三星、SK海力士及美光全力防堵技術流向陸廠外，對岸挖角行動也伸向台積電等邏輯晶片代工廠，台廠也得提高警覺。 中國大陸已將半導體產業列為國家重點發展產業，並揭示到2020年自製率要達到50%，到2025年自製率更推升至75%。 中國大陸各省為爭取國家產業發展基金挹注，也積極朝自建晶圓廠目標前進，發展目標除了記憶體外，還包括應用範圍更廣的邏輯晶片。 據統計，中國大陸目前宣布投入興建12吋晶圓廠投資已高達26件，其中已有12座進入建廠，全力發展半導體的企圖，已讓全球不敢小覷。 陸廠為達相關政策目標，不惜砸重金搶人才、搶技術。其中DRAM產業被列為國家政策指標廠紫光集團，已相繼宣示在武漢及南京各自興建年產30萬至35萬片的記憶體生產重鎮；合肥長鑫和福建晉華也都相繼展開建廠行動。 但DRAM目前技術只剩三星、SK海力士和美光三大廠，儘管陸廠大手筆挖角，但在三大廠反制下，研發時程恐難如預期在2018大舉投入DRAM生產，倒是NAND Flash突破防線機率高。 至於被列為邏輯晶片指標中芯，近來面臨28奈米良率一直無法突破，也把挖角行動伸向台廠。雖然台廠中的台積電等向來對防止技術外流做了極萬全的防護，但人才跳槽是最難防，如果對岸處心積慮要挖角，也有可能突破防線，目前台灣在晶圓代工雖取得全球領先優勢，但還是得提防對岸猛烈的挖角行動。 |
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